从半导体集成电路到材料
半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明应用、大功率电源转换等领域应用。晶圆级预烧和磁性退火等前道半导体功能，以及组装/晶圆级包封功能，黏晶固化、稳定性和预烧测试以及热冲击。数据存储、微处理器和组件公司都可使用设备，以满足其退火、干燥及热分解需求。我们还提供工装夹具处理烘箱。满足在大规模半导体封装和组装生产中对洁净工艺、低氧化、粘合剂和聚合物的高效固化等要求。
百级净化烘箱、无尘烘箱、双层无尘烘箱、晶圆烘箱、封胶烘箱、清洗烘干箱、远红外加热干燥箱、表干炉、预热炉、固化炉、退火炉、隧道式烘箱、预热烘箱、去氢热处理、橡胶二次硫化、老化烘箱、复合材料干燥箱
减压烘箱、真空试验箱、真空腔体、粉末烘箱、保温箱、储液箱
为获得平坦而均匀的光刻胶涂层并使光刻胶与晶片之间有良好的黏附性，通常在涂胶前对晶片进行预处理。预处理第一步常是脱水烘烤，在真空或干燥氮气的机台中，以150～200℃烘烤。工艺目的是除去晶片表面吸附的水分，在此温度下，晶片表面大约保留了一个单分子层的水。
涂胶后，晶片须经过一次烘烤，称之软烘或前烘。工艺作用是除去胶中大部分溶剂并使胶的曝光特性固定。通常，软烘时间越短或温度越低会使得胶在显影剂中的溶解速率增加且感光度更高，但对比度会有降低。实际上软烘工艺需要通过优化对比度而保持可接受感光度的试凑法用实验确定，典型的软烘温度是90～100℃，时间从用热板的30秒到用烘箱的30分钟。
在晶片显影后，为了后面的高能工艺，如离子注入和等离子体刻蚀，也须对晶片进行高温烘烤，称之后烘或硬烘。这一工艺目的在于：减少驻波效应；激发化学增强光刻胶PAG产生的酸与光刻胶上的保护基团发生反应并移除基团使之能溶解于显影液。
本公司系列无尘烘箱系用于半导体制造中硅片、砷化镓、铌酸锂、玻璃等材料涂胶前的预处理烘烤、涂胶后坚膜烘烤和显影后的高温烘烤，强制送风循环方式。双风道循环结构，温度场分布均匀，智能P.I.D温控系统，得到最佳温度控制精度。
高度的一致性温度（在设定点 ± 0.5% 以内）
SEMI S2/S8、CE、SECS/GEM 通信
低微粒环境控制可避免产品污染
较低的氧浓度控制可避免氧化
圆片级跟踪以及其他可选多晶片包装集成
在解决电容器、电阻器及其他用于手机、影碟机、电视机及其他设备的电子组件的技术难题方面，从陶瓷电容器烘烤到预热、干燥和固化，能为这些过程提供极为重要的温度一致性和渐进式升降温速率。
