太阳能臭氧清洗、硅晶片(SiO2)臭氧氧化、晶片臭氧光刻、蚀刻和离子注入、晶片污染物清洗、高浓度臭氧水,太阳能臭氧尾气破坏器; IMEC和RCA清洗工艺UPW系统高级氧化工艺AOP三相系统生物降解DOC灭菌消毒 CIP; 太阳能基板清洗,太阳能玻璃清洗
太阳能行业 臭氧发生器
ozone generator
一、臭氧在太阳能中的应用:
※ 湿法清洗
※ 干法清洗
※ CVD化学气相沉积
※ 疏水性
※ TEOS
※ 正硅酸乙酯
二、臭氧在太阳能清洗中的应用
1. 晶生片/玻璃产过程
晶片是晶体的薄片,由纯硅(=硅)生长而成,用于生产电子元件,例如集成电路(IC)。硅本身不导电,必须将其他离子引入其基质以使其导电(离子注入)。晶体结构的这些变化以复杂的几何图案进行,以实现所需的导电性能。
① 氧化:
在硅晶片(SiO2)的表面上产生氧化层。该二氧化硅层是表面上的隔离层。它通常在含有氧气,水蒸气或其他氧化剂(O2,O3,H2O2)的环境中生长。
离子污染:来自人类,溶剂
② 光刻:
在光刻工艺中,产生所需电性能的几何图案被转移到晶片的表面。
a) 晶片已涂有光刻胶,它可以作为一种薄膜使用,其作用类似于照相机中的照相胶卷。可以通过使用掩模在光刻胶中显影图像。通过光掩模,晶片使用紫外线辐射曝光。辐射会改变其化学键,使其在已曝光的地方(正性光刻胶)更易溶解。
b) 在光刻胶显影并去除后,正像保留在光刻胶中的晶片上。
③ 蚀刻和离子注入:
在此工艺步骤中,蚀刻剂(气体或液体)会去除不受光刻胶保护的二氧化硅。离子被植入未保护的二氧化硅中。随着离子的注入,表面的结构将改变。
④ 光刻胶剥离:
去除光刻胶。由于几何图案非常复杂,因此可能需要多次遍历该序列才能获得所需的结构。
每个晶片的处理步骤都是潜在的污染源。因此,晶圆的清洗必须在每个加工步骤之后进行,因此是制造过程中最经常重复的步骤。
2. 晶片清洗
① 晶片污染物介绍
有效的晶片清洗是将所有影响元件功能或可靠性的污染物去除。可能的污染物可以分为以下几类:
a) 颗粒:主要来自周围环境和人类(皮肤,头发,衣服),但溶剂和移动的零件也可以作为颗粒源。
b) 有机杂质:例如没有完全去除光刻胶或溶剂
c) 原子污染:来自溶剂或机器的金属元素膜
由于晶片的处理步骤都有特定类型的污染物,因此对晶片的清洗往往需要几个清洗步骤才能去除晶体上的所有污染物。
序号 | 规格型号 | 臭氧量 g/h | 臭氧浓度 mg/L | 臭氧体积 wt/wt% | 消毒液产量 m3/h | 消毒液浓度 mg/L | 净化水产量 m3/h | 功率 kw/h |
1 | M-OS-16 | 12.8 | 280~320 | 21~25 | 0.5 | 24 | 5.0 | 2.0 |
2 | M-OS-24 | 19.2 | 280~320 | 21~25 | 1.0 | 24 | 10 | 2.6 |
3 | M-OS-36 | 28.8 | 280~320 | 21~25 | 1.5 | 24 | 15 | 3.6 |
4 | M-OS-48 | 38.4 | 280~320 | 21~25 | 2.0 | 24 | 20 | 6.5 |
5 | M-OS-60 | 48 | 280~320 | 21~25 | 2.5 | 24 | 25 | 7.6 |
6 | M-OS-72 | 57.6 | 280~320 | 21~25 | 3.0 | 24 | 30 | 8.3 |
7 | M-OS-84 | 67.2 | 280~320 | 21~25 | 3.5 | 24 | 35 | 9.5 |
8 | M-OS-96 | 76.8 | 280~320 | 21~25 | 4.0 | 24 | 40 | 13.5 |
9 | M-OS-120 | 96 | 280~320 | 21~25 | 5.0 | 24 | 50 | 14.7 |
10 | M-OS-148 | 118.4 | 280~320 | 21~25 | 6.0 | 24 | 60 | 16.5 |
太阳能行业 臭氧发生器
ozone generator
一、臭氧在太阳能中的应用:
※ 湿法清洗
※ 干法清洗
※ CVD化学气相沉积
※ 疏水性
※ TEOS
※ 正硅酸乙酯
二、臭氧在太阳能清洗中的应用
1. 晶生片/玻璃产过程
晶片是晶体的薄片,由纯硅(=硅)生长而成,用于生产电子元件,例如集成电路(IC)。硅本身不导电,必须将其他离子引入其基质以使其导电(离子注入)。晶体结构的这些变化以复杂的几何图案进行,以实现所需的导电性能。
① 氧化:
在硅晶片(SiO2)的表面上产生氧化层。该二氧化硅层是表面上的隔离层。它通常在含有氧气,水蒸气或其他氧化剂(O2,O3,H2O2)的环境中生长。
离子污染:来自人类,溶剂
② 光刻:
在光刻工艺中,产生所需电性能的几何图案被转移到晶片的表面。
a) 晶片已涂有光刻胶,它可以作为一种薄膜使用,其作用类似于照相机中的照相胶卷。可以通过使用掩模在光刻胶中显影图像。通过光掩模,晶片使用紫外线辐射曝光。辐射会改变其化学键,使其在已曝光的地方(正性光刻胶)更易溶解。
b) 在光刻胶显影并去除后,正像保留在光刻胶中的晶片上。
③ 蚀刻和离子注入:
在此工艺步骤中,蚀刻剂(气体或液体)会去除不受光刻胶保护的二氧化硅。离子被植入未保护的二氧化硅中。随着离子的注入,表面的结构将改变。
④ 光刻胶剥离:
去除光刻胶。由于几何图案非常复杂,因此可能需要多次遍历该序列才能获得所需的结构。
每个晶片的处理步骤都是潜在的污染源。因此,晶圆的清洗必须在每个加工步骤之后进行,因此是制造过程中最经常重复的步骤。
2. 晶片清洗
① 晶片污染物介绍
有效的晶片清洗是将所有影响元件功能或可靠性的污染物去除。可能的污染物可以分为以下几类:
a) 颗粒:主要来自周围环境和人类(皮肤,头发,衣服),但溶剂和移动的零件也可以作为颗粒源。
b) 有机杂质:例如没有完全去除光刻胶或溶剂
c) 原子污染:来自溶剂或机器的金属元素膜
由于晶片的处理步骤都有特定类型的污染物,因此对晶片的清洗往往需要几个清洗步骤才能去除晶体上的所有污染物。
序号 | 规格型号 | 臭氧量 g/h | 臭氧浓度 mg/L | 臭氧体积 wt/wt% | 消毒液产量 m3/h | 消毒液浓度 mg/L | 净化水产量 m3/h | 功率 kw/h |
1 | M-OS-16 | 12.8 | 280~320 | 21~25 | 0.5 | 24 | 5.0 | 2.0 |
2 | M-OS-24 | 19.2 | 280~320 | 21~25 | 1.0 | 24 | 10 | 2.6 |
3 | M-OS-36 | 28.8 | 280~320 | 21~25 | 1.5 | 24 | 15 | 3.6 |
4 | M-OS-48 | 38.4 | 280~320 | 21~25 | 2.0 | 24 | 20 | 6.5 |
5 | M-OS-60 | 48 | 280~320 | 21~25 | 2.5 | 24 | 25 | 7.6 |
6 | M-OS-72 | 57.6 | 280~320 | 21~25 | 3.0 | 24 | 30 | 8.3 |
7 | M-OS-84 | 67.2 | 280~320 | 21~25 | 3.5 | 24 | 35 | 9.5 |
8 | M-OS-96 | 76.8 | 280~320 | 21~25 | 4.0 | 24 | 40 | 13.5 |
9 | M-OS-120 | 96 | 280~320 | 21~25 | 5.0 | 24 | 50 | 14.7 |
10 | M-OS-148 | 118.4 | 280~320 | 21~25 | 6.0 | 24 | 60 | 16.5 |